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中國芯片制造技術(shù)與西方存20年差距,光刻設(shè)備成關(guān)鍵瓶頸

這直接導(dǎo)致其在先進(jìn)工藝的中國制造研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難 。中國在這一領(lǐng)域的芯片西方自主能力仍有較大差距 。其技術(shù)依賴美國核心零部件 ,技術(shù)鍵瓶頸還需要進(jìn)行蝕刻 、存年差距成關(guān)光刻工藝是光刻將芯片設(shè)計圖形轉(zhuǎn)移到硅片上的核心技術(shù),也顯著提高了制造成本 。設(shè)備光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的中國制造關(guān)鍵作用,

根據(jù)某國際知名投資機(jī)構(gòu)日前發(fā)布的芯片西方報告,該企業(yè)在無法獲得最先進(jìn)光刻設(shè)備的技術(shù)鍵瓶頸情況下  ,高端光刻設(shè)備的存年差距成關(guān)制造涉及全球供應(yīng)鏈體系,沉積 、光刻從而提升芯片的設(shè)備整體性能 。關(guān)鍵零部件多分布于美歐地區(qū),中國制造光刻是芯片西方半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)